——習(xí)近平總書(shū)記在致中國(guó)科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求
——中國(guó)科學(xué)院辦院方針
院況簡(jiǎn)介
1949年,伴隨著新中國(guó)的誕生,中國(guó)科學(xué)院成立。
作為國(guó)家在科學(xué)技術(shù)方面的最高學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和全國(guó)自然科學(xué)與高新技術(shù)的綜合研究與發(fā)展中心,建院以來(lái),中國(guó)科學(xué)院時(shí)刻牢記使命,與科學(xué)共進(jìn),與祖國(guó)同行,以國(guó)家富強(qiáng)、人民幸福為己任,人才輩出,碩果累累,為我國(guó)科技進(jìn)步、經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和國(guó)家安全做出了不可替代的重要貢獻(xiàn)。 更多簡(jiǎn)介 +
院領(lǐng)導(dǎo)集體
機(jī)構(gòu)設(shè)置
創(chuàng)新單元
科技獎(jiǎng)勵(lì)
科技期刊
科技專(zhuān)項(xiàng)
中國(guó)科學(xué)院院級(jí)科技專(zhuān)項(xiàng)體系包括戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專(zhuān)項(xiàng)、重點(diǎn)部署科研專(zhuān)項(xiàng)、科技人才專(zhuān)項(xiàng)、科技合作專(zhuān)項(xiàng)、科技平臺(tái)專(zhuān)項(xiàng)5類(lèi)一級(jí)專(zhuān)項(xiàng),實(shí)行分類(lèi)定位、分級(jí)管理。
為方便科研人員全面快捷了解院級(jí)科技專(zhuān)項(xiàng)信息并進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)等相關(guān)操作,特搭建中國(guó)科學(xué)院院級(jí)科技專(zhuān)項(xiàng)信息管理服務(wù)平臺(tái)。了解科技專(zhuān)項(xiàng)更多內(nèi)容,請(qǐng)點(diǎn)擊進(jìn)入→
科研進(jìn)展/ 更多
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
科普?qǐng)鲳^/ 更多
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
文化副刊
中國(guó)科學(xué)院學(xué)部
中國(guó)科學(xué)院院部
語(yǔ)音播報(bào)
近日,2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits(簡(jiǎn)稱(chēng)VLSI國(guó)際研討會(huì))在日本召開(kāi)。中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員劉明團(tuán)隊(duì)在會(huì)上展示了高性能選通管的最新研究進(jìn)展。
交叉陣列中的漏電流問(wèn)題是電阻型存儲(chǔ)器(如RRAM、MRAM、PCM)高密度集成的主要障礙,研制具有高疲勞特性、高均一性的通用選通管對(duì)于實(shí)現(xiàn)上述存儲(chǔ)器的高密度三維交叉陣列集成具有重要意義。劉明團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種基于NbOx的高性能選通器件,通過(guò)對(duì)氧元素分布的調(diào)節(jié)與隧穿層的引入,實(shí)現(xiàn)了高開(kāi)態(tài)電流密度(4.8MA/cm2)、高操作速度(10ns)、高疲勞特性(>1012)。在機(jī)理研究方面,基于變溫測(cè)試結(jié)果及第一性原理計(jì)算,提出了基于熱失控(Thermal runaway)結(jié)合肖特基勢(shì)壘的電荷傳輸模型。這為RRAM等新型存儲(chǔ)器的高密度集成提供了解決方案。
上述研究成果以題為1-xO2 based Universal Selector with Ultra-high Endurance (>1012), high speed (10ns) and Excellent Vth Stability 的論文入選2019 VLSI Technology。微電子所博士羅慶為第一作者,研究員呂杭炳和劉明為通訊作者。
(1)NbOx選通管的基本I-V特性;(2)通用選通管的設(shè)計(jì)思路;(3)選通管特性與新型存儲(chǔ)器對(duì)選通管要求的對(duì)比
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