加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關(guān)鍵核心技術(shù),努力搶占科技制高點(diǎn),為把我國(guó)建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國(guó)作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書(shū)記在致中國(guó)科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)、面向國(guó)家重大需求、面向人民生命健康,率先實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展,率先建成國(guó)家創(chuàng)新人才高地,率先建成國(guó)家高水平科技智庫(kù),率先建設(shè)國(guó)際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國(guó)科學(xué)院辦院方針

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微電子所在高性能選通管研究中獲進(jìn)展

2019-06-25 微電子研究所
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  近日,2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits(簡(jiǎn)稱(chēng)VLSI國(guó)際研討會(huì))在日本召開(kāi)。中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員劉明團(tuán)隊(duì)在會(huì)上展示了高性能選通管的最新研究進(jìn)展。

  交叉陣列中的漏電流問(wèn)題是電阻型存儲(chǔ)器(如RRAM、MRAM、PCM)高密度集成的主要障礙,研制具有高疲勞特性、高均一性的通用選通管對(duì)于實(shí)現(xiàn)上述存儲(chǔ)器的高密度三維交叉陣列集成具有重要意義。劉明團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種基于NbOx的高性能選通器件,通過(guò)對(duì)氧元素分布的調(diào)節(jié)與隧穿層的引入,實(shí)現(xiàn)了高開(kāi)態(tài)電流密度(4.8MA/cm2)、高操作速度(10ns)、高疲勞特性(>1012)。在機(jī)理研究方面,基于變溫測(cè)試結(jié)果及第一性原理計(jì)算,提出了基于熱失控(Thermal runaway)結(jié)合肖特基勢(shì)壘的電荷傳輸模型。這為RRAM等新型存儲(chǔ)器的高密度集成提供了解決方案。

  上述研究成果以題為1-xO2 based Universal Selector with Ultra-high Endurance (>1012), high speed (10ns) and Excellent Vth Stability 的論文入選2019 VLSI Technology。微電子所博士羅慶為第一作者,研究員呂杭炳和劉明為通訊作者。

1NbOx選通管的基本I-V特性;(2)通用選通管的設(shè)計(jì)思路;(3)選通管特性與新型存儲(chǔ)器對(duì)選通管要求的對(duì)比

打印 責(zé)任編輯:葉瑞優(yōu)

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