來自西安交通大學、中科院上海微系統(tǒng)所、斯坦福大學、日本理化學研究所、勞倫斯伯克利國家實驗室等機構(gòu)的中外科研人員發(fā)現(xiàn)，絕緣體的磁疇邊界具有高導電性。這項發(fā)現(xiàn)不僅為困擾科學家數(shù)十年的科學假說第一次提供了直接證據(jù)，而且對未來存儲器的設計和開發(fā)具有重要的潛在應用價值，相關成果日前發(fā)表于《科學》。
　　幾十年前，科學家推導認為，電絕緣體的磁疇邊界可能成為電的良導體。該理論假設自提出起受到廣泛關注，然而在本研究之前，盡管科學家對大量可能的材料體系已經(jīng)進行了研究，但都未能獲得直接的實驗證據(jù)。
　　此次研究中，日本理化學研究所的研究人員首先合成了一種高品質(zhì)的電絕緣體多晶化合物。科研人員隨即完成了微尺度電輸運測試設備的研制和電輸運性能的測量，并通過一個獨特的微波阻抗顯微鏡對導電磁疇界進行直接成像。通過微波阻抗顯微鏡獲取的優(yōu)質(zhì)圖像，研究人員對該多晶樣品內(nèi)的電阻率分布進行二維逐點測量，成功觀測到了高導電性的磁疇界面。
　　該多晶材料的晶體取向信息表明，在微波阻抗顯微鏡下觀察到的導電曲線的本質(zhì)有諸多挑戰(zhàn)。比如，合成材料是由很多遠小于人的頭發(fā)直徑，且取向各異的晶粒組成，該多晶材料很脆，難以拋光，因此難以用常見方法進行觀察，且該晶體結(jié)構(gòu)比較復雜，衍射譜的解析很難。最終，科研人員利用同步輻射微束白光X射線勞厄衍射技術，和獨立開發(fā)的數(shù)據(jù)分析軟件XMAS，完成了這項工作。
　?。ㄔd于《中國科學報》 2015-11-04 第1版 要聞)