日前，中科院上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室王浩敏團(tuán)隊首次通過模板法在六角氮化硼溝槽中實現(xiàn)石墨烯納米帶可控生長，成功打開石墨烯帶隙，并在室溫下驗證了其優(yōu)良的電學(xué)性能，為研發(fā)石墨烯數(shù)字電路提供了一種可能的技術(shù)路徑。3月9日，相關(guān)研究發(fā)表于《自然—通訊》。據(jù)悉，該項研究提出的石墨烯納米帶制備方法已經(jīng)獲得中國和美國發(fā)明專利。
　　研究人員通過金屬納米顆粒刻蝕六角氮化硼單晶襯底，切割出單原子層厚度、邊緣平直且沿鋸齒型方向、寬度具有一定可控性的納米溝槽，并通過化學(xué)氣相沉積法在溝槽中制備出長度達(dá)到數(shù)微米且寬度小于10納米的高質(zhì)量石墨烯納米帶。實驗結(jié)果表明，石墨烯在溝槽內(nèi)通過臺階外延方式生長，與最頂層六角氮化硼形成晶格連續(xù)的面內(nèi)異質(zhì)結(jié)。
　　“這項研究在六角氮化硼單晶這一石墨烯理想襯底上驗證了一種免轉(zhuǎn)移，且寬度和邊界可控的技術(shù)線路?！蓖鹾泼舯硎荆@為進(jìn)一步探索與CMOS集成電路兼容的石墨烯邏輯電路提供了一個重要平臺。
　　（原載于《中國科學(xué)報》 2017-03-21 第4版 綜合)