加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關(guān)鍵核心技術(shù),努力搶占科技制高點(diǎn),為把我國建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展,率先建成國家創(chuàng)新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設(shè)國際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國科學(xué)院辦院方針

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【中國科學(xué)報(bào)】研究人員發(fā)現(xiàn)水蒸氣環(huán)境下硅量子點(diǎn)熒光機(jī)制

2016-10-31 中國科學(xué)報(bào) 黃辛
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語音播報(bào)

  中科院上海應(yīng)用物理研究所科研人員運(yùn)用含時(shí)密度泛函理論,闡述了水蒸氣環(huán)境中硅量子點(diǎn)的奇異熒光機(jī)制。相關(guān)成果日前發(fā)表于《物理化學(xué)快報(bào)》雜志。

  水環(huán)境對(duì)硅量子點(diǎn)的光學(xué)特性有明顯影響,但目前水蒸氣環(huán)境下硅量子點(diǎn)的熒光機(jī)制并沒有得到足夠的認(rèn)識(shí)。

  研究人員利用含時(shí)密度泛函理論,解釋了一個(gè)關(guān)鍵問題:在水環(huán)境下水分子如何通過影響硅量子點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu),進(jìn)而導(dǎo)致了其熒光特性的奇異變化。水吸附在硅量子點(diǎn)表面對(duì)其吸收光譜的影響幾乎可以忽略。相反,其熒光光譜顯示,水分子的吸附導(dǎo)致了紫外光區(qū)域的光譜主峰相比真空環(huán)境的熒光光譜紅移了大約30 納米。更有趣的是,當(dāng)三個(gè)水分子和四個(gè)水分子團(tuán)簇吸附在硅量子點(diǎn)表面上時(shí),其熒光光譜展現(xiàn)一個(gè)雙頻帶,表現(xiàn)為兩個(gè)發(fā)射峰集中在紫外光區(qū)域。

  專家認(rèn)為,這項(xiàng)研究從分子尺度理解了水吸附在硅量子點(diǎn)的熒光現(xiàn)象,揭示了水分子與硅量子點(diǎn)之間的相互作用對(duì)基于硅涂層的光電子器件具有重要的影響,或?qū)⑦M(jìn)一步促進(jìn)硅量子點(diǎn)在熒光標(biāo)記和太陽能電池等方面的應(yīng)用。

 ?。ㄔd于《中國科學(xué)報(bào)》 2016-10-31 第4版 綜合)
打印 責(zé)任編輯:侯茜

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